STD9N65M2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD9N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.79 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 71.96 грн |
| 500+ | 48.62 грн |
| 1000+ | 39.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD9N65M2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD9N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.79 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STD9N65M2 за ціною від 39.02 грн до 163.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD9N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD9N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.79 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STD9N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
STD9N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STD9N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STD9N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STD9N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STD9N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
STD9N65M2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STD9N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STD9N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STD9N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
товару немає в наявності |