STD9NM50N STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.88 грн |
| 10+ | 72.11 грн |
| 100+ | 50.39 грн |
| 500+ | 39.92 грн |
| 1000+ | 38.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD9NM50N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції STD9NM50N за ціною від 30.11 грн до 96.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD9NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A |
на замовлення 7206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STD9NM50N |
|
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
STD9NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |