Продукція > ST > STE110NS20FD

STE110NS20FD


en.CD00002404.pdf Виробник: ST

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STE110NS20FD ST

Description: MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOTOP®, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 504 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STE110NS20FD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STE110NS20FD Виробник : SAMREX en.CD00002404.pdf MODULE
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STE110NS20FD STE110NS20FD
Код товару: 80105
en.CD00002404.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
STE110NS20FD STE110NS20FD Виробник : STMicroelectronics en.CD00002404.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 504 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
товар відсутній