STE110NS20FD

STE110NS20FD


en.CD00002404.pdf
Код товару: 80105
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STE110NS20FD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STE110NS20FD Виробник : ST en.CD00002404.pdf
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STE110NS20FD Виробник : STM ste110ns20fd.pdf N-кан. MOSFET 200V, 110A, 0.022Ом, 500Вт, ISOTOP Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STE110NS20FD STE110NS20FD Виробник : STMicroelectronics en.CD00002404.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 504 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.