STE145N65M5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 679W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 414 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 100 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3468.79 грн |
| 10+ | 2513.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STE145N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STE145N65M5 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 143 A, 650 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 143A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 679W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STE145N65M5 за ціною від 2317.04 грн до 3712.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STE145N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STE145N65M5 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 143 A, 650 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 143A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 679W Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STE145N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET Modules N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ 143 A MDmesh M5 Power MOSFET |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STE145N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 143A 4-Pin ISOTOP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STE145N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 143A 4-Pin ISOTOP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STE145N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 650V; 90A; ISOTOP; screw; Idm: 572A; 679W Drain-source voltage: 650V Drain current: 90A On-state resistance: 12mΩ Power dissipation: 679W Polarisation: unipolar Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 572A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
STE145N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 650V; 90A; ISOTOP; screw; Idm: 572A; 679W Drain-source voltage: 650V Drain current: 90A On-state resistance: 12mΩ Power dissipation: 679W Polarisation: unipolar Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 572A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor |
товару немає в наявності |