Технічний опис STE26NA90 ST
Description: MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 450W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOTOP®, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 660 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STE26NA90
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| STE26NA90 | Виробник : SAMREX |
 MODULE |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
STE26NA90 Код товару: 39744 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||
 |
STE26NA90 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 1mA Supplier Device Package: ISOTOP® Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 660 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
STE26NA90 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET |
товар відсутній |