STE48NM50 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2050.39 грн |
| 10+ | 1754.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STE48NM50 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 450W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOTOP®, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STE48NM50 за ціною від 1163.69 грн до 2078.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STE48NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 48 Amp |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STE48NM50 Код товару: 49311
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||
 |
STE48NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 192A; 450W Polarisation: unipolar On-state resistance: 80mΩ Gate-source voltage: ±30V Drain current: 30A Pulsed drain current: 192A Power dissipation: 450W Drain-source voltage: 500V Kind of package: tube Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Case: ISOTOP Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw |
товару немає в наявності |