Інші пропозиції STE53NC50 за ціною від 1825.79 грн до 3165.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STE53NC50 | STMicroelectronics |
Category: Transistor modulesDescription: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W Polarisation: unipolar Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Drain current: 33A Drain-source voltage: 500V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Semiconductor structure: single transistor Case: ISOTOP On-state resistance: 70mΩ Pulsed drain current: 212A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Power dissipation: 460W |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STE53NC50 | STMicroelectronics |
STE53NC50 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube - Arrow.com |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STE53NC50 | STMicroelectronics |
STE53NC50 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube - Arrow.com |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STE53NC50 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOPInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: ISOTOP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STE53NC50 | STMicroelectronics |
STE53NC50 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube - Arrow.com |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STE53NC50 | STMicroelectronics |
STE53NC50 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube - Arrow.com |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STE53NC50 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STE53NC50 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 53 A, 500 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 VtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
STE53NC50 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 53 Amp |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STE53NC50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Drain current: 33A
Drain-source voltage: 500V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single transistor
Case: ISOTOP
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 212A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 460W
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Drain current: 33A
Drain-source voltage: 500V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single transistor
Case: ISOTOP
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 212A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 460W
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2485.64 грн |
| 5+ | 1980.49 грн |
| 10+ | 1901.07 грн |
| 20+ | 1825.79 грн |
| STE53NC50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STE53NC50 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube - Arrow.com
STE53NC50 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube - Arrow.com
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 2660.58 грн |
| STE53NC50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STE53NC50 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube - Arrow.com
STE53NC50 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube - Arrow.com
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 2660.58 грн |
| STE53NC50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOTOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Description: MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOTOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2793.51 грн |
| 10+ | 2012.43 грн |
| 100+ | 1839.55 грн |
| STE53NC50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STE53NC50 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube - Arrow.com
STE53NC50 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube - Arrow.com
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 3105.48 грн |
| 10+ | 2480.90 грн |
| 30+ | 2368.12 грн |
| 50+ | 2171.29 грн |
| 100+ | 1988.20 грн |
| STE53NC50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STE53NC50 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube - Arrow.com
STE53NC50 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube - Arrow.com
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3165.90 грн |
| 5+ | 3115.59 грн |
| 10+ | 2488.97 грн |
| 30+ | 2375.82 грн |
| 50+ | 2178.36 грн |
| 100+ | 1994.68 грн |
| STE53NC50 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STE53NC50 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 53 A, 500 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STE53NC50 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 53 A, 500 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STE53NC50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 53 Amp
MOSFETs N-Ch 500 Volt 53 Amp
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)







