STE88N65M5 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STE88N65M5 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 88 A, 650 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 494W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3171.33 грн |
| 5+ | 2875.77 грн |
| 10+ | 2579.38 грн |
| 50+ | 2394.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STE88N65M5 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STE88N65M5 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 88 A, 650 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 494W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STE88N65M5 за ціною від 1936.05 грн до 3221.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STE88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ 88 A MDmesh M5 Power MOSFET |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STE88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 88A 4-Pin ISOTOP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STE88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 88A 4-Pin ISOTOP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STE88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 650V; 55.7A; ISOTOP; screw; Idm: 352A Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 55.7A Power dissipation: 494W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Pulsed drain current: 352A Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STE88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 494W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: ISOTOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STE88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 650V; 55.7A; ISOTOP; screw; Idm: 352A Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 55.7A Power dissipation: 494W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Pulsed drain current: 352A Semiconductor structure: single transistor |
товару немає в наявності |