
STF100N10F7 STMicroelectronics
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 83.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF100N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0068 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VII, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STF100N10F7 за ціною від 70.52 грн до 245.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF100N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF100N10F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VII productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF100N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF100N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V |
на замовлення 2879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF100N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STF100N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STF100N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 180A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 45A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STF100N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 180A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 45A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |