Продукція > STMICROELECTRONICS > STF10N105K5
STF10N105K5

STF10N105K5 STMicroelectronics

en.DM00134103.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 6A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Vgs (Max): 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF10N105K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF10N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 6 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції STF10N105K5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STF10N105K5 STF10N105K5 STMicroelectronics en.DM00134103.pdf MOSFETs N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220FP package
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N105K5 STF10N105K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000954623-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STF10N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 6 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N105K5 en.DM00134103.pdf
STF10N105K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220FP package
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N105K5 SGST-S-A0000954623-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STF10N105K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF10N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 6 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.