Продукція > STMICROELECTRONICS > STF10N60DM2
STF10N60DM2

STF10N60DM2 STMicroelectronics

en.DM00299235.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 100 V
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.23 грн
50+60.55 грн
100+60.23 грн
500+49.32 грн
1000+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF10N60DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STF10N60DM2 за ціною від 41.50 грн до 170.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF10N60DM2 STF10N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00299235.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.45 грн
10+66.08 грн
100+56.86 грн
500+49.78 грн
1000+46.47 грн
2000+42.78 грн
5000+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N60DM2
Код товару: 177725
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00299235.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N60DM2 STF10N60DM2 Виробник : STMicroelectronics dm00299.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N60DM2 STF10N60DM2 Виробник : STMicroelectronics dm00299.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N60DM2 STF10N60DM2 Виробник : STMicroelectronics dm00299.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N60DM2 Виробник : STMicroelectronics dm00299.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00299235.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 15nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.