STF10N60M2 STMicroelectronics
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 193+ | 63.53 грн |
| 205+ | 59.62 грн |
| 214+ | 57.02 грн |
| 500+ | 50.75 грн |
| 1000+ | 38.49 грн |
| 2000+ | 35.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF10N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STF10N60M2 за ціною від 36.12 грн до 127.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF10N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V |
на замовлення 1761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STF10N60M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STF10N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2 |
на замовлення 2929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STF10N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
STF10N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STF10N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STF10N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.5A; Idm: 30A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STF10N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.5A; Idm: 30A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |