STF10N60M2

STF10N60M2 STMicroelectronics


en.DM00086387.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 1271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.16 грн
50+60.00 грн
100+53.62 грн
500+39.80 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF10N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STF10N60M2 за ціною від 31.78 грн до 136.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF10N60M2 STF10N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00086387.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.61 грн
10+64.44 грн
100+50.11 грн
500+39.59 грн
1000+36.17 грн
2000+34.22 грн
5000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00086387.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.5A; Idm: 30A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.5nC
Pulsed drain current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.