STF10N65K3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 40A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Kind of package: tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 119.51 грн |
| 10+ | 82.61 грн |
| 16+ | 61.75 грн |
| 43+ | 58.41 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF10N65K3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF10N65K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 35W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.
Інші пропозиції STF10N65K3 за ціною від 71.14 грн до 179.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF10N65K3 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STF10N65K3 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STF10N65K3 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V |
на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STF10N65K3 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF10N65K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 35W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STF10N65K3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 130.18 грн |
| 137+ | 105.38 грн |
| 147+ | 98.29 грн |
| 500+ | 79.26 грн |
| STF10N65K3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 176.70 грн |
| 10+ | 130.23 грн |
| 50+ | 105.40 грн |
| 100+ | 94.81 грн |
| 500+ | 73.41 грн |
| STF10N65K3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 179.37 грн |
| 10+ | 110.99 грн |
| 50+ | 84.38 грн |
| 100+ | 71.14 грн |
| STF10N65K3 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF10N65K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STF10N65K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)