на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.99 грн |
| 10+ | 129.77 грн |
| 100+ | 107.30 грн |
| 500+ | 92.07 грн |
| 1000+ | 88.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF10NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STF10NM60N за ціною від 52.16 грн до 296.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STF10NM60N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| STF10NM60N | Виробник : ST |
N-MOSFET 10A 600V 25W 0.55Ω STF10NM60N TSTF10NM60n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| STF10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STF10NM60N THT N channel transistors |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
STF10NM60N Код товару: 53892
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 650 V Idd,A: 10 A Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 540/19 |
товару немає в наявності
|
|||||||||
 |
STF10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |