STF10NM60N
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 52.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF10NM60N ST
Description: STMICROELECTRONICS - STF10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STF10NM60N за ціною від 92.70 грн до 300.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Pulsed drain current: 32A |
на замовлення 155 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STF10NM60N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STF10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STF10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STF10NM60N Код товару: 53892
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 650 V Idd,A: 10 A Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 540/19 |
товару немає в наявності
|