STF10NM60ND STMicroelectronics
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 185.80 грн |
| 10+ | 110.56 грн |
| 100+ | 88.07 грн |
| 500+ | 74.86 грн |
| 1000+ | 74.12 грн |
| 2000+ | 71.12 грн |
| 5000+ | 69.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF10NM60ND STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STF10NM60ND
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STF10NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|
| STF10NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
||
| STF10NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
STF10NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|
| STF10NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |