STF11N50M2

STF11N50M2 STMicroelectronics


std11n50m2-1850353.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 755 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF11N50M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STF11N50M2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF11N50M2 Виробник : STM en.DM00107139.pdf MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N50M2 STF11N50M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00107139.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.