STF11N60DM2

STF11N60DM2 STMICROELECTRONICS


en.DM00299434.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF11N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.97 грн
11+78.05 грн
100+76.15 грн
500+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF11N60DM2 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STF11N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STF11N60DM2 за ціною від 46.51 грн до 196.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF11N60DM2 STF11N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.14 грн
10+81.04 грн
13+72.63 грн
34+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+150.17 грн
10+100.98 грн
13+87.15 грн
34+82.56 грн
500+79.81 грн
1000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.21 грн
50+53.99 грн
100+53.80 грн
500+49.24 грн
1000+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stf11n60dm2-1850418.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.08 грн
10+93.68 грн
100+74.12 грн
250+73.24 грн
500+60.33 грн
1000+55.92 грн
2000+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2
Код товару: 177726
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00299434.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00299434.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00299434.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00299434.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.