Інші пропозиції STF11N60DM2 за ціною від 44.82 грн до 164.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF11N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 16.5nC Pulsed drain current: 40A |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STF11N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V |
на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STF11N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|