
STF11N65M2 STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 127.10 грн |
10+ | 81.65 грн |
100+ | 78.81 грн |
250+ | 74.68 грн |
500+ | 59.01 грн |
1000+ | 50.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF11N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STF11N65M2 за ціною від 53.19 грн до 148.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STF11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STF11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
STF11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STF11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STF11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STF11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STF11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STF11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 28A Gate charge: 12.5nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STF11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STF11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 28A Gate charge: 12.5nC |
товару немає в наявності |