STF11N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 116+ | 101.16 грн |
| 122+ | 95.81 грн |
| 141+ | 83.17 грн |
| 200+ | 76.53 грн |
| 500+ | 70.69 грн |
| 1000+ | 62.28 грн |
| 2000+ | 59.19 грн |
| 4000+ | 58.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF11N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm.
Інші пропозиції STF11N65M5 за ціною від 54.34 грн до 128.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF11N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STF11N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm |
на замовлення 382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STF11N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STF11N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STF11N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STF11N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STF11N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STF11N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |