STF11N65M5

STF11N65M5 STMicroelectronics


3413stb11n65m5.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3079 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+69.30 грн
188+64.75 грн
206+59.15 грн
210+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF11N65M5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STF11N65M5 за ціною від 58.05 грн до 172.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF11N65M5 STF11N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb11n65m5-1850020.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.58 грн
10+67.50 грн
100+58.63 грн
5000+58.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5 STF11N65M5 Виробник : STMICROELECTRONICS 2371874.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+172.27 грн
10+124.78 грн
100+98.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5 STF11N65M5 Виробник : STMicroelectronics 3413stb11n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5 STF11N65M5 Виробник : STMicroelectronics 3413stb11n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5 Виробник : STMicroelectronics 3413stb11n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049307.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5 STF11N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049307.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049307.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.