Продукція > STMICROELECTRONICS > STF11N65M5
STF11N65M5

STF11N65M5 STMicroelectronics

en.DM00049307.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.14 грн
10+110.61 грн
100+75.97 грн
500+66.56 грн
1000+52.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF11N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STF11N65M5 за ціною від 88.93 грн до 124.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF11N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049307.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+124.68 грн
10+109.06 грн
25+101.51 грн
50+88.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N65M5 STF11N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049307.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.