STF11NM50N

STF11NM50N STMicroelectronics


STD,STF,STP11NM50N.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs POWER MOSFET N-CH 500V
на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.84 грн
10+104.20 грн
100+87.12 грн
1000+79.46 грн
10000+78.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF11NM50N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STF11NM50N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF11NM50N Виробник : STMicroelectronics STD,STF,STP11NM50N.pdf
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM50N STF11NM50N Виробник : STMicroelectronics STD,STF,STP11NM50N.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM50N STF11NM50N Виробник : STMicroelectronics STD,STF,STP11NM50N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.