
STF11NM50N STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.5 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 227.01 грн |
10+ | 190.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF11NM50N STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.5 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STF11NM50N за ціною від 94.01 грн до 235.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF11NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
STF11NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
![]() |
STF11NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
STF11NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
STF11NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 8.5A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 470mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Pulsed drain current: 34A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
STF11NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
STF11NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 8.5A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 470mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Pulsed drain current: 34A |
товару немає в наявності |