STF11NM65N

STF11NM65N STMicroelectronics


cd00158685.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+65.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF11NM65N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STF11NM65N за ціною від 70.74 грн до 70.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STF11NM65N STF11NM65N Виробник : STMicroelectronics cd00158685.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
165+70.74 грн
Мінімальне замовлення: 165
STF11NM65N STF11NM65N Виробник : STMicroelectronics std11nm65n-1850549.pdf MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STF11NM65N en.CD00158685.pdf
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STF11NM65N Виробник : STMicroelectronics cd00158685.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
STF11NM65N STF11NM65N Виробник : STMicroelectronics cd00158685.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
STF11NM65N STF11NM65N Виробник : STMicroelectronics en.CD00158685.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
товар відсутній