STF11NM80 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 230.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF11NM80 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STF11NM80 за ціною від 122.61 грн до 522.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STF11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STF11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 126 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STF11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
на замовлення 857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STF11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh |
на замовлення 877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STF11NM80 | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
STF11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STF11NM80 | Виробник : STM |
N-кан. 800V - 0.35 Ом - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |



