Продукція > STMICROELECTRONICS > STF11NM80
STF11NM80

STF11NM80 STMicroelectronics

706322785380960cd00003205.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+342.83 грн
38+328.11 грн
50+315.61 грн
100+294.01 грн
250+263.97 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF11NM80 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STF11NM80 за ціною від 111.05 грн до 493.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF11NM80 STF11NM80 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F748ABA19D611C&compId=STF11NM80-DTE.pdf?ci_sign=50a7d1b8030ee9659198db62543e5591acd0f42e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+388.55 грн
6+174.50 грн
15+165.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80 STF11NM80 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003205.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+446.50 грн
50+230.37 грн
100+211.12 грн
500+194.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80 STF11NM80 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003205.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.99 грн
10+236.91 грн
100+193.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80 STF11NM80 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F748ABA19D611C&compId=STF11NM80-DTE.pdf?ci_sign=50a7d1b8030ee9659198db62543e5591acd0f42e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.26 грн
6+217.46 грн
15+198.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80 STF11NM80 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0011462418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+493.52 грн
10+414.79 грн
100+335.22 грн
500+276.69 грн
1000+219.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80 STF11NM80 Виробник : STMicroelectronics 371cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80 Виробник : ST en.CD00003205.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+111.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80 Виробник : STMicroelectronics 371cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11NM80 STF11NM80 Виробник : STMicroelectronics 706322785380960cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.