STF11NM80 STMicroelectronics
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 216.96 грн |
| 56+ | 208.69 грн |
| 100+ | 201.61 грн |
| 250+ | 188.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF11NM80 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm.
Інші пропозиції STF11NM80 за ціною від 108.59 грн до 476.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STF11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STF11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STF11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STF11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STF11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 186 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STF11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STF11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STF11NM80 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm |
на замовлення 2276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STF11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| STF11NM80 | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STF11NM80 | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STF11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STF11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |