Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STF12N50DM2

STF12N50DM2

en.DM00130088.pdf
Код товару: 181822
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STF12N50DM2 за ціною від 83.27 грн до 194.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STF12N50DM2 STF12N50DM2 STMicroelectronics en.DM00130088.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.35Ω
Pulsed drain current: 44A
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.04 грн
10+98.45 грн
25+86.86 грн
50+83.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50DM2 STF12N50DM2 STMicroelectronics en.DM00130088.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.84 грн
50+92.53 грн
100+83.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50DM2 STF12N50DM2 STMicroelectronics en.DM00130088.pdf MOSFETs N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50DM2 en.DM00130088.pdf
STF12N50DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.35Ω
Pulsed drain current: 44A
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+163.04 грн
10+98.45 грн
25+86.86 грн
50+83.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50DM2 en.DM00130088.pdf
STF12N50DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+194.84 грн
50+92.53 грн
100+83.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N50DM2 en.DM00130088.pdf
STF12N50DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.