
STF12N50M2 STMicroelectronics
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
152+ | 80.77 грн |
165+ | 74.10 грн |
200+ | 70.20 грн |
500+ | 58.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF12N50M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STF12N50M2 за ціною від 44.07 грн до 175.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF12N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V |
на замовлення 1351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STF12N50M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Plus productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STF12N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STF12N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
STF12N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STF12N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STF12N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 85W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 85W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A On-state resistance: 0.38Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STF12N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 85W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 85W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A On-state resistance: 0.38Ω |
товару немає в наявності |