STF12N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.03 грн |
| 10+ | 63.91 грн |
| 100+ | 49.50 грн |
| 500+ | 39.46 грн |
| 1000+ | 32.28 грн |
| 2000+ | 29.98 грн |
| 25000+ | 29.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF12N60M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STF12N60M2 за ціною від 42.92 грн до 139.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF12N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V |
на замовлення 704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| STF12N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |