STF12N65M2 STMicroelectronics
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 81+ | 154.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF12N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF12N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STF12N65M2 за ціною від 46.88 грн до 189.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF12N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V |
на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STF12N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF12N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STF12N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package |
на замовлення 1133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STF12N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STF12N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STF12N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STF12N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 16.7nC Pulsed drain current: 32A |
товару немає в наявності |