STF12N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 85.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF12N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF12N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STF12N65M5 за ціною від 79.60 грн до 196.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-5 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STF12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STF12N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF12N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STF12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V |
на замовлення 791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STF12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STF12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STF12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STF12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STF12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STF12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STF12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| STF12N65M5 |
|
на замовлення 913 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| STF12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |