
STF13N60DM2 STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 193.94 грн |
10+ | 92.73 грн |
12+ | 81.23 грн |
31+ | 76.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF13N60DM2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STF13N60DM2 за ціною від 57.02 грн до 232.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF13N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STF13N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STF13N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.365Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STF13N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STF13N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STF13N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |