Продукція > STMICROELECTRONICS > STF13N60DM2
STF13N60DM2

STF13N60DM2 STMicroelectronics

stf13n60dm2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Gate charge: 19nC
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+188.34 грн
10+107.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF13N60DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STF13N60DM2 за ціною від 85.82 грн до 200.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics en.DM00285795.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.99 грн
50+95.33 грн
100+85.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics en.DM00285795.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60DM2 en.DM00285795.pdf
STF13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.99 грн
50+95.33 грн
100+85.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60DM2 en.DM00285795.pdf
STF13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.