
STF14NM50N STMicroelectronics
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 55.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF14NM50N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STF14NM50N за ціною від 67.32 грн до 206.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF14NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF14NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF14NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF14NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF14NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF14NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
STF14NM50N | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STF14NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |