STF15N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 84.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF15N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100.
Інші пропозиції STF15N65M5 за ціною від 141.61 грн до 252.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF15N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STF15N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.308 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.308ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
STF15N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
 |
STF15N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
STF15N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STF15N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
STF15N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 6.9A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 25W Version: ESD Gate-source voltage: ±25V Drain current: 6.9A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
STF15N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
STF15N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.308 Ohm 11 A MDmesh M5 |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
STF15N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 6.9A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 25W Version: ESD Gate-source voltage: ±25V Drain current: 6.9A |
товару немає в наявності |