STF15N80K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 14A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 375mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 321.67 грн |
| 3+ | 268.04 грн |
| 5+ | 205.16 грн |
| 13+ | 194.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF15N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STF15N80K5 за ціною від 117.72 грн до 386.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF15N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STF15N80K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STF15N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STF15N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 14A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 14A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 375mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF15N80K5 | Виробник : ST |
Transistor N-MOSFET; 800V; 30V; 375mOhm; 14A; 35W; -55°C ~ 150°C; STF15N80K5 TSTF15N80k5 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
STF15N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STF15N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STF15N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STF15N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |