STF15NM65N STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 410.59 грн |
| 50+ | 204.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF15NM65N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF15NM65N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STF15NM65N за ціною від 155.04 грн до 155.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF15NM65N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Channel 650V Pwr Mosfet |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
STF15NM65N | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF15NM65N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| STF15NM65N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| STF15NM65N | STMicroelectronics |
|
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STF15NM65N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Channel 650V Pwr Mosfet
MOSFETs N-Channel 650V Pwr Mosfet
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STF15NM65N |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF15NM65N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STF15NM65N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STF15NM65N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 155.04 грн |
| STF15NM65N |
|
Виробник: STMicroelectronics
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)