на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 381.21 грн |
| 10+ | 193.45 грн |
| 500+ | 160.61 грн |
| 1000+ | 129.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF15NM65N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF15NM65N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STF15NM65N за ціною від 96.99 грн до 478.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF15NM65N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STF15NM65N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STF15NM65N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 50 V |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| STF15NM65N | Виробник : STMicroelectronics |
STF15NM65N THT N channel transistors |
на замовлення 65 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
| STF15NM65N | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |