
STF15NM65N STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 30W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 48A
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 308.66 грн |
10+ | 234.50 грн |
12+ | 78.17 грн |
32+ | 73.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF15NM65N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF15NM65N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STF15NM65N за ціною від 88.28 грн до 448.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF15NM65N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 30W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 33.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 48A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF15NM65N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 50 V |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF15NM65N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF15NM65N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
STF15NM65N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
STF15NM65N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
STF15NM65N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |