
STF16N50M2 STMicroelectronics

MOSFETs N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 187.47 грн |
10+ | 128.14 грн |
100+ | 81.10 грн |
500+ | 68.45 грн |
1000+ | 60.79 грн |
2000+ | 59.35 грн |
5000+ | 58.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF16N50M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STF16N50M2 за ціною від 119.47 грн до 231.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF16N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STF16N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
STF16N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
STF16N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
STF16N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
STF16N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
STF16N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |