
STF16N60M6 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STF16N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 205.00 грн |
10+ | 149.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF16N60M6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF16N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STF16N60M6 за ціною від 74.12 грн до 218.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF16N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STF16N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V |
на замовлення 923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STF16N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STF16N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STF16N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STF16N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STF16N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |