Продукція > STM > STF18N55M5

STF18N55M5 STM


STB_D_F_P18N55M5_Rev_3.pdf
Виробник: STM
TO-220FP Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF18N55M5 STM

Description: MOSFET N-CH 550V 16A TO220FP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STF18N55M5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF18N55M5 STF18N55M5 Виробник : STMicroelectronics STB_D_F_P18N55M5_Rev_3.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 16A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N55M5 STF18N55M5 Виробник : STMicroelectronics std18n55m5-1003725.pdf MOSFETs N-ch 550 V 0.18 Ohm 13 A MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.