
STF18N60DM2 STMicroelectronics

MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 238.76 грн |
10+ | 152.54 грн |
100+ | 97.02 грн |
500+ | 81.86 грн |
1000+ | 67.16 грн |
2000+ | 66.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF18N60DM2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STF18N60DM2 за ціною від 95.51 грн до 95.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STF18N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
STF18N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
STF18N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
STF18N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |