Продукція > STMICROELECTRONICS > STF18N60M6
STF18N60M6

STF18N60M6 STMicroelectronics

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A786BB3740D2&compId=stf18n60m6.pdf?ci_sign=1a56c0773812371ddae8d7fc5dd750c52392aeff Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.15 грн
10+96.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF18N60M6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF18N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STF18N60M6 за ціною від 58.63 грн до 205.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF18N60M6 STF18N60M6 Виробник : STMicroelectronics stf18n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60M6 STF18N60M6 Виробник : STMicroelectronics stf18n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.20 грн
10+109.34 грн
100+89.04 грн
500+64.67 грн
1000+59.61 грн
2000+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60M6 STF18N60M6 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A786BB3740D2&compId=stf18n60m6.pdf?ci_sign=1a56c0773812371ddae8d7fc5dd750c52392aeff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.18 грн
10+120.48 грн
11+103.76 грн
30+98.10 грн
100+94.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60M6 STF18N60M6 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007407385-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STF18N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+205.70 грн
10+159.99 грн
100+110.89 грн
500+88.04 грн
1000+66.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60M6 Виробник : STMicroelectronics stf18n60m6.pdf STF18N60M6
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+169.59 грн
75+163.12 грн
100+157.58 грн
250+147.35 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60M6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00562397.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60M6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00562397.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.