Технічний опис STF18N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STF18N65M2 за ціною від 67.85 грн до 236.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF18N65M2 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STF18N65M2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V |
на замовлення 2906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STF18N65M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa |
на замовлення 631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STF18N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 189+ | 74.83 грн |
| STF18N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 236.18 грн |
| 50+ | 114.10 грн |
| 100+ | 103.06 грн |
| 500+ | 78.58 грн |
| 1000+ | 72.75 грн |
| 2000+ | 67.85 грн |
| STF18N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)