
STF18NM60N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 210.89 грн |
50+ | 137.34 грн |
100+ | 121.49 грн |
500+ | 92.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF18NM60N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STF18NM60N за ціною від 82.76 грн до 294.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ || |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STF18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STF18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ || кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 117 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STF18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
STF18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |