
STF19NF20 STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 129.26 грн |
16+ | 56.57 грн |
44+ | 53.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF19NF20 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF19NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.5 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STF19NF20 за ціною від 34.78 грн до 155.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF19NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STF19NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STF19NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MESH OVERLAY™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.45A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 139 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STF19NF20 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
STF19NF20 | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
STF19NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STF19NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |