STF20N65M5 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 238.25 грн |
| 10+ | 107.33 грн |
| 100+ | 105.71 грн |
| 500+ | 97.40 грн |
| 1000+ | 88.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF20N65M5 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STF20N65M5 за ціною від 78.76 грн до 265.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF20N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 100 V |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STF20N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5 |
на замовлення 4738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STF20N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Power dissipation: 30W Case: TO220FP On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |