Продукція > STM > STF20NM60D

STF20NM60D STM


en.CD00003368.pdf
Виробник: STM
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF20NM60D STM

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STF20NM60D

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF20NM60D STF20NM60D Виробник : STMicroelectronics en.CD00003368.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF20NM60D STF20NM60D Виробник : STMicroelectronics en.CD00003368.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.