STF21N65M5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 348.70 грн |
| 5+ | 230.94 грн |
| 12+ | 219.03 грн |
| 25+ | 210.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF21N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STF21N65M5 за ціною від 139.42 грн до 418.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STF21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STF21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STF21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.7A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 179mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STF21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STF21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
STF21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
STF21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STF21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |


