
STF22N60DM6 STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 101.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF22N60DM6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STF22N60DM6 за ціною від 109.74 грн до 249.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF22N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STF22N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 43A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.5A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 20.6nC Technology: MDmesh™ M6 Pulsed drain current: 43A |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STF22N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 43A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.5A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 20.6nC Technology: MDmesh™ M6 Pulsed drain current: 43A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STF22N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
STF22N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
STF22N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
STF22N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
STF22N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |