Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STF22NM60N

STF22NM60N

en.CD00237949.pdf
Код товару: 171989
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STF22NM60N за ціною від 185.31 грн до 579.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STF22NM60N STF22NM60N STMicroelectronics STF22NM60N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+269.95 грн
10+222.54 грн
50+185.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60N STF22NM60N STMicroelectronics en.CD00237949.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.89 грн
50+303.43 грн
100+278.82 грн
500+221.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60N STF22NM60N STMicroelectronics en.CD00237949.pdf MOSFETs N-channel 600 V 0.190 16A MDmesh
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60N STF22NM60N STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005001120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STF22NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60N STF22NM60N.pdf
STF22NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.95 грн
10+222.54 грн
50+185.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60N en.CD00237949.pdf
STF22NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+579.89 грн
50+303.43 грн
100+278.82 грн
500+221.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60N en.CD00237949.pdf
STF22NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 0.190 16A MDmesh
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60N SGST-S-A0005001120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STF22NM60N
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF22NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.