Продукція > STMICROELECTRONICS > STF23N80K5
STF23N80K5

STF23N80K5 STMicroelectronics

en.DM00225383.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 64A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+450.99 грн
4+251.44 грн
10+228.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF23N80K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF23N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm.

Інші пропозиції STF23N80K5 за ціною від 167.52 грн до 497.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STF23N80K5 STF23N80K5 STMicroelectronics en.DM00225383.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.76 грн
10+296.27 грн
50+233.80 грн
100+200.55 грн
500+167.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF23N80K5 STF23N80K5 STMicroelectronics en.DM00225383.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 740 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+497.71 грн
10+259.73 грн
100+206.84 грн
500+180.23 грн
1000+177.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF23N80K5 STF23N80K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001221322-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STF23N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF23N80K5 en.DM00225383.pdf
STF23N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+458.76 грн
10+296.27 грн
50+233.80 грн
100+200.55 грн
500+167.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF23N80K5 en.DM00225383.pdf
STF23N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 740 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+497.71 грн
10+259.73 грн
100+206.84 грн
500+180.23 грн
1000+177.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF23N80K5 SGST-S-A0001221322-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STF23N80K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF23N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.