
STF23N80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 363.60 грн |
50+ | 177.28 грн |
100+ | 171.90 грн |
500+ | 157.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF23N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF23N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm.
Інші пропозиції STF23N80K5 за ціною від 172.47 грн до 450.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF23N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 64A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 16A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF23N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF23N80K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF23N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 64A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 16A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF23N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
STF23N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
STF23N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |