STF23NM60ND STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600V; 19.5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF23NM60ND STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220FP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STF23NM60ND
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STF23NM60ND | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch, 600V-0.15ohms FDMesh 20A |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STF23NM60ND |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch, 600V-0.15ohms FDMesh 20A
MOSFETs N-Ch, 600V-0.15ohms FDMesh 20A
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)