STF24N60DM2

STF24N60DM2 STMicroelectronics


STB24N60DM2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: FDmesh™ II Plus
на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+199.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STF24N60DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STF24N60DM2 за ціною від 70.37 грн до 286.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF24N60DM2 STF24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00099968.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.54 грн
10+136.21 грн
100+100.33 грн
500+82.21 грн
1000+72.46 грн
5000+70.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60DM2 STF24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00099968.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.88 грн
50+140.87 грн
100+127.73 грн
500+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.