
STF24N65M2 STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 164.96 грн |
8+ | 128.70 грн |
20+ | 121.59 грн |
25+ | 119.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF24N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STF24N65M2 за ціною від 82.62 грн до 197.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF24N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF24N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF24N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF24N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF24N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
STF24N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STF24N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |