STF25N80K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 396.23 грн |
| 50+ | 210.67 грн |
| 100+ | 201.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF25N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF25N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 19.5 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.
Інші пропозиції STF25N80K5 за ціною від 148.15 грн до 526.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF25N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; Idm: 78A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 12.3A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 78A |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STF25N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5 |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STF25N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STF25N80K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF25N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 19.5 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STF25N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |